Резюме:
ШИШКОВСКИЙ И. В.: - высококвалифицированный специалист в области лазерных технологий, физической металлургии, методах численного моделирования физических процессов с использованием языков программирования: FORTRAN, PASCAL, DELPHY, а также профессиональных инженерных пакетов - Ansys, Abaqus, ProEngineer, Компас, MathCad, Maple. Имеет более 100 публикаций в научных журналах и трудах конференций Российского и международного уровня по направлениям: лазерная закалка сталей, теория лазерной аморфизации, технология селективного лазерного спекания порошковых композиций.
Научная деятельность:
ШИШКОВСКИЙ И. В. работает в Самарском филиале ФИАН им. П.Н. Лебедева с 1982 года, где в настоящее время руководит исследовательской группой. Темой его исследований является поиск перспективных порошковых материалов и композиций на их основе для использования в технологии лазерного синтеза объемных изделий деталей машин методом селективного лазерного спекания (СЛС). В частности, им проводятся экспериментальные и теоретические исследования физико-химических процессов в течении СЛС при помощи лазеров на основе Nd-YAG и CO2. За последние годы были определены оптимальные режимы лазерного воздействия для СЛС металл-полимерных, биметаллический, керамических и интерметаллидных порошковых композиций. Изучались тепловые, оптические, механические характеристики как самой порошковой среды, так и синтезированных при СЛС изделий.
Предложено и успешно реализовано на практике совмещение процесса СЛС, с процессами лазерной пайки или контролируемого самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), что позволяет на ном качественном уровне говорить о расширении функциональных возможностей синтезируемых трехмерных изделий и созданию интеллектуальных микроустройств (англ. термин MicroElectroMechanical Systems (MEMS) – имплантатов, сенсоров, фильтров, пъезодетекторов, пъезонасосов и т.д.
Направления текущих исследований:
Компьютерное моделирование и послойный синтез методом селективного лазерного спекания пористых:

биосовместимых имплантатов на основе титана и никелида титана;

пьезокомпозитов с градиентом электрофизических свойств будущего изделия;

градиентных фильтрующих элементов.
Педагогическая деятельность:
По совместительству, Шишковский И. В. работает в Самарском Государственном Техническом Университете в качестве доцента с 1992 года. Он отвечает за организацию и проведение курсов специализации:

Теоретические основы обработки материалов концентрированными потоками энергии;

Лазеры в системах диагностики и контроля.
для студентов Физико-Технологического Факультета (специальность 1207). Им осуществляется методическое руководство при подготовке и написании дипломных работ студентов 4, 5 и 6 курсов ФТФ (бакалавры, инженеры, магистры - соотвественно).

---

Биографические сведения:
Закончил Куйбышевский Государственный Университет в 1982 г. (физ. фак., спец. теор. физика - с отличием.
К.ф.-м.н., спец. - физика твердого тела 01.04.07 /ФИАН, 1992г./. Тема "Теоретическое моделирование физических процессов лазерной закалки сталей".
Д.ф.-м.н., спец. - химическая физика, в т.ч. горения и взрыва 01.04.17 / Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН, 2005г./. Тема "Селективное лазерное спекание и синтез функциональных структур".
Доцент /СамГТУ, Кафедра Общей и Лазерной физики, 1997г/.
Область научных интересов: Взаимодействие концентрированных потоков энергии с материалами.
Женат, две дочери. Хобби: Авто, компьютеры, астрономия и астрология.