[ENG]
СФ ФИАН
Самарский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
Филиал
Новости
О филиале
Сотрудники
Документы
История
О В.А. Катулине
Фотографии разных лет
Видеозаписи
Библиотека
Структура
Структура филиала
Дирекция
Лаборатория когерентной оптики
Лаборатория лазерно-индуцированных процессов
Лаборатория физико-химической кинетики
Теоретический сектор
Центр лабораторной астрофизики
НАУЧНАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
Ученый совет
Семинар
Публикации
Патенты
Оборудование
Разработки
Монографии
Образование
Сотрудничество с вузами
SPIE Samara Student Chapter
Конкурс-конференция
экскурсии по лабораториям
СМИ о нас
Контакты
Лазерная пробивка глубоких отверстий в сапфире

В СФ ФИАН совместно с ТГУ (Тольятти) разработан эффективный способ пробивки глубоких отверстий (более 10 мм) в оптически прозрачных материалах с отношением глубины отверстия к диаметру отверстия 50 и более.

Способ основан на комбинированном использовании фемтосекундного и миллисекундного лазерных импульсов. Фемтосекундное излучение используется для предварительного структурирования поверхности, после чего поверхность облучается миллисекундным излучением с оптимизированной формой импульса.

Параметры используемого излучения:
I этап - облучение поверхности фемтосекундным лазерным импульсом для образования дефектов структуры - τ = 100 фс; Е = 100 мДж; f = 100 Гц; t = 10 сек.
II этап - облучение структурированной поверхности лазерным излучением миллисекундной длительности с оптимизированной формой импульса - Е = 15 Дж; τ = 15 мс; λ = 1,06 мкм; диаметр фокусировки 0,3 мм. Создаваемая плотность мощности 1010 Вт/см2.
III этап – увеличение концентрации пика мощности (Е = 10 Дж; τ = 2 мс) за счет эффекта самофокусировки до 1011-1012 Вт/см2. Формирование микрообъема плазмы.

Разработанный способ открывает новые возможности использования мощных импульсных YAG-лазеров для размерной обработки оптически прозрачных материалов.

Пробивка глубоких отверстий диаметром 0,2-0,3 мм в оптически прозрачном кристалле сапфира
а)
б)
в)
Рис. 1. Пластина сапфира после фемтосекундного воздействия:
а) фото внешнего вида пластины сапфира; б) фото отверстия, полученного фемтосекудными импульсами; в) фото структуры дна отверстия.

а)
б)
Рис. 2. Глубокое отверстие в сапфире, полученное миллисекундным лазерным импульсом с оптимизированной формой импульса и параметрами: Е = 15 Дж; τ = 15 мс; λ = 1,06 мкм; диаметр фокусировки 0,3 мм. Плотность мощности порядка 1011-1012 Вт/см2.
а) фото внешнего вида поверхности отверстия;
б) фото профиля отверстия.

Рис. 3. Эскиз поперечного осевого сечения отверстия в монокристалле сапфира, полученного методом комбинированного лазерного облучения.


Подробнее см. в журнале «Ритм машиностроения»-1/2020г

Контакты:

Гусев А.А. gusev_aa@fian.smr.ru
Физический институт им. П.Н. Лебедева, Самарский филиал.