|
В СФ ФИАН разработан датчик перемещений на основе полупроводникового диодного лазера, отличающийся интерферометрической точностью, компактностью и возможностью работы с шероховатыми слабоотражающими поверхностями. |
|||
В качестве источника излучения в датчике используется полупроводниковый лазер, устойчиво работающий на одной продольной моде. Изменение тока накачки лазера приводит к модуляции его частоты излучения и возникновению сигнала биений при сложении оптического поля, находящегося внутри лазера, с полем, возвращающимся от внешнего отражателя. Оригинальная методика обработки сигнала биений позволяет в реальном времени получать информацию о линейном перемещении объекта в диапазоне до 20мм, с точностью 0,1мкм, для скоростей перемещения мишени ≤0,2м/с, на расстоянии ≤1м. | ||||
Рис.1. Схема датчика перемещения и сигналы в контрольных точках: 1 - фотодиод: 2 - полупроводниковый лазер; 3 - микрообъектив; 4 - регулируемый фильтр; 5 - исследуемый объект; 6 - преобразователь фототока в напряжение; 7 - селективный усилитель; 8 - компаратор; 9 - стабилизатор тока накачки и температуры лазера; 10 - генератор; 11 - фазовый детектор; 12 - ЦАП; 13 цифровой индикатор; 14 - реверсивный датчик; 15, 16 - самописец и/или компьютер. |
||||
|
|
|||
Возможность работы с шероховатыми слабоотражающими поверхностями достигается за счет высокой чувствительности полупроводникового лазера к оптическому излучению, попадающему обратно в активную область после отражения от внешних объектов. | ||||
|