[ENG]
СФ ФИАН
Самарский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
Филиал
Новости
О филиале
Сотрудники
Документы
История
О В.А. Катулине
Фотографии разных лет
Видеозаписи
Библиотека
Структура
Структура филиала
Дирекция
Лаборатория когерентной оптики
Лаборатория лазерно-индуцированных процессов
Лаборатория физико-химической кинетики
Теоретический сектор
Центр лабораторной астрофизики
НАУЧНАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
Ученый совет
Семинар
Публикации
Патенты
Оборудование
Разработки
Монографии
Образование
Сотрудничество с вузами
SPIE Samara Student Chapter
Конкурс-конференция
экскурсии по лабораториям
СМИ о нас
Контакты
Устройства возбуждения газов электрическим разрядом

Устройства, разработанные в СФ ФИАН, предназначены для получения газовых потоков с высоким содержанием возбуждённых и химически активных молекул и атомов - атомарного кислорода, синглетного кислорода, озона, атомарного йода, атомарного хлора и других.

В этих устройствах возбуждённые и химически активные молекулы и атомы в газах создаются с помощью самостоятельных стационарных разрядов типа тлеющего. В устройствах используются разрядные системы, обеспечивающие получение самостоятельного разряда с высокими удельными энерговкладами, например, в кислороде - до ~7 кДж/г (~2 эВ на молекулу). Повышенная стабильность разряда в различных газах, включая сильно электроотрицательные, достигается, благодаря использованию закрученного или вихревого высокоскоростного газового потока. На рисунках 1 и 2 представлены два варианта разрядных камер.


Рис.1.


Рис.2.

Газы, активированные в плазме электрического разряда, могут использоваться:
для обработки поверхностей различных материалов, например, пластмасс, полимерных пленок, с целью улучшения свойств поверхности, повышения адгезионных характеристик;
для испытаний стойкости материалов к агрессивному воздействию, например, атомарными кислородом или галогенидами;
для очистки воздуха от вредных примесей и загрязнений;
для осаждения газов, подобных силану, на поверхности;
для распыления и травления фоторезиста в производстве микросхем;
для обеззараживания медицинских изделий и инструментов.
Одно из устройств, например, - источник атомарного йода - позволяет получать наибольшие концентрации атомов йода до ~1016см3 в потоке аргона с давлением 30 мм рт. ст.


Контакты:

А.А. Шепеленко shepelenko@fian.smr.ru;
Физический институт им. П.Н. Лебедева, Самарский филиал.