:: Резюме Шишковского И.В.

Публикации Достижения Стартовая страница

Образование & Научные звания:

Опыт работы и занимаемые должности:

Научный (c 1982 года):

- Главный научный сотрудник, Лаборатория лазерно-индуцированных процессов (ЛЛИП), Самарский филиал ФИАН.

Карьера по датам (месяц/год):

a) Наука (Лаборатория лазерно-индуцированных процессов, ранее Лаборатория Технологических Лазеров, Самарский филиал ФИАН):

  • Ведущий научный сотрудник 11/2016 - 09/2018
  • Старший научный сотрудник 05/1994 - 10/2016
  • Главный научный сотрудник (по совместительству, 09/2013-12/2015) в МЕГАГРАНТ лаборатории аддитивных технологий МГТУ - СТАНКИН
  • Научный сотрудник 03/1993-05/1994
  • б) Преподавание.

  • Доцент Сколковского института науки и технологии, Зав. лаб. аддитивного производства, 08/2018 - 08/2023
  • Профессор СамГТУ & МГТУ СТАНКИН 05/2007 – 09/2011 & 09/2013-06/2014
  • Доцент СамГТУ 04/1995 - 05/2007, СамГУ 09/1998 - 06/2002
  • Старший преподаватель СамГТУ 09/1993-04/1995
  • В СамГТУ работал на кафедрах: 1) Литейных и Высокоэффективных Технологий СамГТУ, 2) ранее до 2009 г. кафедра называлась "Физические технологии", 3) а еще ранее до 1998 г. входила в состав кафедры "Общей и Лазерной физики" СамГТУ. Также вел (1998-2002) курсы специализации на кафедре Физики твердого тела и неравновесных систем в Самарском Государственном Университете.

    в) Приглашенный профессор в Лаборатории диагностики высокотемпературных процессов (DIPI) в Ecole Nationale d'Ingenieurs de Saint Etienne (ENISE) , France / теперь филиал Лионского Университета /, France. 2006 - 07, 2010 - 11.

    Прежняя научная деятельность (Теоретический сектор, Самарский филиал ФИАН): Младший научный сотрудник 08/1987-03/1993; Инженер 07/1984-08/1987; Стажер-исследователь 08/1982-10/1982.

    Премии и награды:

  • Шишковский И.В. входит в число 2% высокоцитируемых ученых мира по спискам выдающихся исследователей 2023 года, подготовленных Elsevier BV, Стэнфордский университет, США. Ссылка на обновление данных 2024 г. для “Обновленных общенаучных баз данных авторов по стандартизированным показателям цитирования”. Рейтинг стандартизирован с использованием информации о цитированиях, H-индексе, Hm-индексе с поправкой на соавторство, цитированиях статей с разными позициями авторства и сводного показателя.
  • Победитель 6-го конкурса (1999 г.) научных проектов молодых ученых РАН по фундаментальным и прикладным исследованиям (ПОСТАНОВЛЕНИЕ РАН от 24 апреля 2001 года № 123).
  • Граммота Самарского областного департамента науки и образования за активное участие в преподавательской деятельности 2001 г.;
  • Первое место на Всероссийском VII конкурсе 2003 г. методических разработок для студентов в среде MATHCAD Образовательного Математического Сайта Exponenta.Ru;
  • Вторая премия на конкурсе научных работ Физического института им. П.Н. Лебедева РАН 2007 г. по циклу работ под общим названием «Лазерный синтез объемных изделий. Перспективы и приложения»;
  • Губернская премия 2016 г. в области науки и техники Администрации Самарской области за цикл научных исследований в номинации "технические науки" «Создание имплантатов и тканево-клеточных каркасов методами аддитивных технологий»;
  • Медаль Международной Ассоциации Песпективных Материалов (МАПМ) за выдающиеся исследования в области Аддитивного Производства - Науки и Технологий, Сингапур 2017, Сертификат N-- M-11/2017/IAAM;
  • Гранты РНФ (2024-19-00484, 2020-19-00780, 20-69-46070, 15-19-00208, 14-19-00992), РФФИ (20-51-56011_Иран, 17-32-50133 мол_нр, 17-48-630290 р_Поволжье а, 14-29-10193 офи_м, 13-03-12407 офи_м2, 13-08-97001р_Поволжье_а, 10-08-00208-а, 09-08-00149-а, 08-08-07015-д, 07-08-12048-офи, 06-08-00102-а, 06-03-32119-а, 04-03-97204р_Наукограды_а, 04-03-96500р_Поволжье_а), Президиума РАН по программе "Фундаментальные науки - медицине" (этапы 2011, 2009-2010 и 2005-2006 гг). Подробнее см. здесь.
  • The 3rd prize of "Crystals Best Paper Award 2015" за публикацию " Intermetallics Synthesis in the Fe–Al System via Layer by Layer 3D Laser Cladding", Igor Shishkovsky et al. в журнале Crystals 2013, 3(4), 517–529; doi:10.3390/cryst3040517.
  • Опубликовано более чем 200 статей в реферируемых журналах, получено 11 патентов РФ, опубликовано более десятка монографий (глав в монографиях в соавторстве), выпущено 8 учебно-методических пособий для СамГТУ и СамГУ.

    Выпущено 10 аспирантов, 8 бакалавров, 8 магистров; более 20 инженеров, физиков и химиков по соответствующим кафедрам (центрами) Сколтех, МИФИ, СамГУ, СамГТУ и СГАУ.

    SPIE member, Эксперт РНФ и РФФИ, Европейского научных фондов (гранты Германии, Чехии, Польши, Болгарии, ранее эксперт CORDIS).

    Сертифицированный эксперт РАН (номер 2016-01-2111-9076, распоряжение Президиума РАН от 27.07.2016 № 10108-509); Эксперт ФГБНУ НИИ РИНКЦЭ (с 2013 года, свидетельство 04-00750);

    Член ДС 212.215.14 (Приказ Минобрнауки России №857/нк от 24 сентября 2019 г.; специальности /химические науки/: 02.00.01 – Неорганическая химия & 02.00.02 – Аналитическая химия) в Самарском Университете.

    Рецензент в журналах издательств Elsevier, Springer, Institute of Physics Publishing, SAGE, American Chemical Society, MDPI Publ.

    Эксперт в аддитивных технологиях - L(-E)-PBF, DED (LENS), SLA, FDM, DLP и проч, биопринтинге, цифровом дизайне. Знания и опыт по лазерным технологиям ; закалка, наплавка, сварка, резка, легирование, спекание, аморфизация. Имеется широкий опыт работы по расшифровке дифрактограмм, оптической и электронной (сканирующая и на просвет) металлографии. Практические знания и навыки по программированию в среде FORTRAN, С++, PASCAL, DELPHY; профессиональных инженерных пакетов - Ansys, Abaqus, Comsol (FemLab), MatLab, MathCad, Maple. САПР (CAD-САМ-САЕ) системы - SolidWork, 3D Компас, Magics.


    ::СФ ФИАН версия 5.0 --> ::design by © Игорь В. Шишковский 2023